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华中科技大学 电子科学与技术系
白云黄鹤 启明学院
研究生
李京波研究员9月11日来访
发布日期:2009-9-12 0:00:00     作者:admin

2009年9月11日上午11:00,李京波研究员应实验区负责人江建军教授邀请来到华中科大CCMS实验室访问交流,与实验室成员就科学研究、读研深造以及他所在中科院半导体所的工作情况等问题进行了广泛交流,取得了良好效果。期间,系领导袁建春书记特来实验室与李京波研究员进行了相关的交流。

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李京波研究员简介:

2001年毕业于中国科学院半导体研究所,获得理学博士学位。2001年至2004年,在美国伯克利劳伦斯国家实验室做博士后;2004年至2007年,美国再生能源国家实验室助理研究员;2007年5月,入选中国科学院“百人计划”,同时进入半导体超晶格国家重点实验室工作,从事半导体掺杂机制和纳米材料的研究。

在半导体掺杂机制和纳米材料等前沿领域中取得的一系列创新性研究成果:

(1)发表了50余篇论文(“Nature”一篇,“Nature Material”一篇,“PRL”六篇,“Nano Letters”四篇,“JACS”二篇,“APL”七篇,“PRB”十六篇),对半导体光电子的设计有重要的指导作用。

(2)首次从理论上研究了形状对纳米团簇电子态的影响,并且对相关的实验进行了解释。

(3)与合作者提出了Charge Patching方法,实现了上万原子的第一性原理精度计算,该方法特别适用于大原胞的半导体合金和纳米团簇的大规模计算。

(4)对半导体掺杂机制有深入的研究,提出ZnO等实现p-型掺杂的实验模型,并用第一性原理进行计算,获得国际同行的广泛关注。

(5)首次研究了量子点中杂质的稳定性, 预言在硅掺杂的GaAs量子点中,如量子点的尺寸小于14纳米,将出现DX深能级中心。

(6)首次预言了CdS量子点比CdSe量子点更容易观察到“暗激子现象”,该预言被美国P.F.Barbara教授的实验小组所证实。论文已经被国际同行高度评价和大量引用,至今已被引用900余次(他引700余次)。

2006年11月和2007年3月分别在美国波士顿的美国材料学会(MRS)年会和美国奥兰多的美国金属学会(TMS)年会上作会议的邀请报告。2008年9月2日《科技日报》第十版以《李京波:半导体照明学科带头人》为题报道了李京波研究员的最新研究进展。2009年3月17日《自然》(亚洲材料)报道了李京波小组在光催化材料研究中取得的重要进展。

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